勇芯科技BCL601S1模塊采用Nordic Semiconductor的nRF52840 SoC來(lái)運(yùn)行心電圖算法引擎，并通過(guò)低功耗藍(lán)牙傳輸數(shù)據(jù)

英飛凌科技推出分立式650V IGBT7 H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。

日益先進(jìn)的電動(dòng)汽車(chē)和自動(dòng)駕駛汽車(chē)離不開(kāi)高帶寬、低延遲、高度可靠的通信，從而通過(guò)車(chē)載以太網(wǎng)將大量傳感器數(shù)據(jù)移動(dòng)到車(chē)內(nèi)，并使用V2X將數(shù)據(jù)從車(chē)內(nèi)移動(dòng)到車(chē)外。

小型分立式功率MOSFET在節(jié)省空間、降低成本和簡(jiǎn)化應(yīng)用設(shè)計(jì)方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外，更高的功率密度還能實(shí)現(xiàn)靈活的布線并縮小系統(tǒng)的整體尺寸。

在靜態(tài)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，電源設(shè)計(jì)側(cè)重于最大程度地降低導(dǎo)通損耗、優(yōu)化熱性能、實(shí)現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，同時(shí)以低成本實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量。為滿足新一代解決方案的需求，英飛凌科技正在擴(kuò)大其CoolMOS? S7 系列高壓超結(jié)（SJ）MOSFET 的產(chǎn)品陣容。