英飛凌科技近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣泛適用于各種應用，如服務器、通信、便攜式充電器和無線充電器中開關電源（SMPS）里的同步整流等。此外，新產(chǎn)品在無人機中還可應用于小型無刷電機的電子速度控制器等。
全新的OptiMOS?6 40V功率MOSFET以及OptiMOS?5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設計的成熟OptiMOS?技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。這些新器件擁有業(yè)界極低的導通電阻和業(yè)界領先的性能指標（FOMs, QG和QOSS），能夠?qū)崿F(xiàn)出色的動態(tài)開關性能。因此，這些具有超低開關損耗和低導通損耗的 MOSFET器件能夠保證極佳的能效和功率密度，同時簡化散熱管理。
OptiMOS?功率開關采用緊湊的PQFN 2x2 mm2封裝，能夠縮小系統(tǒng)尺寸，讓終端用戶應用的幾何外形變得更加小巧、靈活。通過減少并聯(lián)需求，這些MOSFET器件提升了系統(tǒng)設計的可靠性，顯著降低了占板空間和系統(tǒng)成本。
供貨情況
全新OptiMOS?6 40V功率MOSFET（ISK057N04LM6）的導通電阻值為5.7 mΩ，OptiMOS?5 25V功率MOSFET（ISK024NE2LM5）和OptiMOS?5 30V功率MOSFET（ISK036N03LM5）的導通電阻值分別為2.4 mΩ和3.6 mΩ，這些MOSFET器件均采用改進的PQFN 2x2 mm2 封裝，現(xiàn)已開放訂購。
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儒卓力產(chǎn)品線經(jīng)理 Kelly Xie
