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如何借助雪崩二極管提供過壓保護?

07/23/2018 Asia Knowledge cn

當IGBT在高性能應用中高速接通和斷開時,總會發(fā)生過壓。例如,當關閉負載電流電路時,集電極 - 發(fā)射極電壓突然上升,達到非常高的峰值。由開關引起的過電壓會嚴重損壞甚至破壞開關晶體管。

雪崩二極管如何幫助防止過電壓?

常見的過電壓保護方法是“有源鉗位(active clamping)”。在這種情況下,雪崩二極管用作直接反饋。如果關斷導致電感負載過壓峰值,則由雪崩二極管傳導至IGBT柵極,并且IGBT重新接通。

配圖顯示了基本原理:當電壓上升時,二極管被阻斷(A)。在耗盡區(qū)中,一個自由電子觸發(fā)雪崩的瞬間,電壓突然下降到低于30V的擊穿電壓電平,雪崩二極管立刻擊穿(B)。在重新啟動之前,有時只能保持雪崩電流在短時間內穩(wěn)定,并且電壓再次上升(C)。擊穿延遲(D)即兩次擊穿事件之間的時間,是不能預測的。

建議將具有改善噪聲性能的雪崩二極管用于有源鉗位過壓保護,因為它們能夠:

˙       在快速上升的反向電壓下,更快擊穿

˙       在低電流(低于~1mA)時具有更穩(wěn)定擊穿電壓,因此:

˙       延長其組件的壽命,例如 IGBT或Mosfets,結果:

˙       為變頻器或電機控制器等應用節(jié)省成本,因為組件較少需要更換。

雪崩二極管噪聲是如何產生的?

雪崩二極管的噪聲來自雪崩的不斷接通和斷開,即電壓峰值的不斷產生及其突然擊穿(見圖)。觸發(fā)雪崩擊穿有兩個先決條件:

1. 存在足夠的擊穿電壓以產生用于碰撞電離的臨界電場強度。

2. 存在自由電子,因而形成漏電流

例如,1.6pA = 1.6 x 10-12A漏電流等于通過阻擋層的電子流速為每秒107電子,這意味著在統(tǒng)計上每100ns只能觸發(fā)一次雪崩。然而,由于不是每個電子都會觸發(fā)雪崩,實際上觸發(fā)時間會更長。因此,觸發(fā)雪崩擊穿的概率與泄漏電流成比例。換句話說:漏電流越大,觸發(fā)雪崩擊穿的概率越高或擊穿延遲時間越短(圖中:D)

在兩個沖擊漏電流電子之間,二極管處的反向電壓可以顯著上升到高于擊穿電壓電平。只有當下一個沖擊電子觸發(fā)雪崩時,二極管的電壓才會突然下降到擊穿電壓水平。

如果電壓源提供足夠的電流,例如 1mA,雪崩擊穿可以通過連續(xù)的碰撞電離保持自身運行,從而產生穩(wěn)定的雪崩電流。

但是,如果源電流太低,例如100μA,低于擊穿電壓電平的雪崩電壓突然下降,使得二極管放電,將導致雪崩擊穿立即再次停止。這時,需要一定的時間來使二極管和線電容充電,使低源電流達到所需的電壓電平,然后下一個電子才能觸發(fā)新的雪崩。這種雪崩的不斷接通和斷開導致雪崩二極管擊穿的典型噪聲。

二極管噪聲性能的差異在圖中也可見:圖中顯示了兩個Z二極管(齊納二極管)的擊穿電壓范圍,在100μA的反向電流(IR)下測得的擊穿電壓為30V。其中一個二極管基于標準技術,使用極低的漏電流,另一個則采用“低噪聲技術”。具有“低噪聲技術”的齊納二極管具有更穩(wěn)健的電壓特性,優(yōu)于僅能在短時間內保持恒定雪崩電流的另一個二極管(C)。

威世提供采用“低噪聲技術”的Z二極管,這些新一代產品包括<link www.rutronik24.com/category/zener-diodes/move:0/package:SMF/qs:smf+vishay _blank - "open internal link">SMF</link>、<link www.rutronik24.com/search-result/qs:bzd27/reset:0 _blank - "open internal link">BZD27</link>、<link www.rutronik24.com/search-result/qs:bzg03/reset:0 _blank - "open internal link">BZG 03</link>、<link www.rutronik24.com/search-result/orderby:stock/qs:bzg04/reset:0 _blank - "open internal link">BZG04</link>、 <link www.rutronik24.com/search-result/qs:bzg05/reset:0 _blank - "open internal link">BZG05</link>、<link www.rutronik24.com/search-result/qs:plz/reset:0 _blank - "open internal link">PLZ</link> 和 <link www.rutronik24.com/search-result/qs:vtvs/reset:0 _blank - "open internal link">VTVS</link>系列,由于適度增加漏電流(IR~10nA)而明顯增加了觸發(fā)雪崩擊穿的可能性,從而降低了噪聲,并為用戶提供了在低電流(低于~1mA)時更穩(wěn)定的擊穿電壓以及快速上升反向電壓的更快擊穿。

二極管噪聲的更進一步影響因素

漏電流隨溫度增加而呈指數上升,即噪聲隨溫度升高而降低;光還可以釋放二極管耗盡區(qū)中的自由電子,從而降低噪聲水平。這意味著:四周環(huán)境越暗越冷,噪音水平越高。


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