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物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的RAM——使用IoT RAM改善用戶體驗

09/24/2021 Asia Knowledge cn

物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式應(yīng)用需要越來越多的RAM,這些RAM要求更高的帶寬、更小的外形尺寸和更低的功耗。這給開發(fā)人員提出了一個問題:什么樣的內(nèi)存模塊才適合這類應(yīng)用?

物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式應(yīng)用的用戶體驗基準(zhǔn)變得越來越高,這要求更多地使用帶寬更高、外形尺寸更小和功耗更低的RAM產(chǎn)品以減少功耗,同時要組件成本維持不變甚至降低。使用人工智能(AI)和/或機器學(xué)習(xí)(ML)的應(yīng)用尤其如此。

 

靜態(tài)RAM (SRAM)的速率仍然是最高,延遲也最低,并且最接近處理器,但是它確實存在缺點。常規(guī)6TSRAM布局拓?fù)錄]有按照與處理節(jié)點相同的比例而縮小。隨著CPU消耗更多的功率,嵌入式SRAM的功耗也會增加。由于功耗方面的限制及其對RAM的需求不斷增加,這意味著嵌入式SRAM越來越難以滿足最新的IoT應(yīng)用要求。

 

外部SRAM模塊也需要使用大量的晶體管,這不僅會增加存儲成本,也難以滿足有限尺寸的要求。

 

與SRAM相比,外部動態(tài)RAM (DRAM) 模塊仍然具有很好的成本優(yōu)勢。它們使用單個晶體管和電容器構(gòu)成,提供了媲美SRAM的性能,還可以實現(xiàn)密度更高的內(nèi)存陣列。對于永久或通常連接到單個電源設(shè)備的應(yīng)用,外部DRAM模塊是可接受的解決方案。然而,它們有著大量引腳,并且有更新要求,還有不斷增加的布線復(fù)雜性,意味著其集成是非常復(fù)雜的。

 

較舊的低密度同步DRAM(SDRAM)模塊是為較舊的處理節(jié)點設(shè)計的,其尺寸基本上不適合緊湊型節(jié)能系統(tǒng)。

 

這意味著業(yè)界需要RAM替代方案,以更低的成本和功耗提供更高的性能,同時滿足不斷提高的IoT用戶整體體驗要求。

 

IoT RAM兼具DRAMSRAM的優(yōu)勢

IoT RAM基于偽靜態(tài)RAM技術(shù)(PSRAM)。它結(jié)合了DRAM的優(yōu)勢(表面面積小、產(chǎn)品成本低至SRAM的十分之一,密度則是SRAM的十倍以上),以及SRAM的高速率、低延遲和易控制特性。PSRAM在內(nèi)部使用DRAM單元,該單元僅由一個晶體管和一個電容器組成,其行為特性類似于普通SRAM和相對簡單的傳統(tǒng)SRAM接口。

 

IoT RAM還提供了低引腳數(shù)的Flash-SPI接口,這種接口用于許多MCU和FPGA產(chǎn)品。AP Memory提供的低成本IoT RAM解決方案與大多數(shù)MCU、SoC和FPGA的SPI接口兼容,其中包括Quad-SPI (QSPI)和Octal-SPI (OSPI)接口。

 

一部分SoC需要比內(nèi)部SRAM更大的內(nèi)存,這種情況下適合使用系統(tǒng)級封裝(SiP)型款I(lǐng)oT RAM。SiP選項器件,特別是那些使用“已知優(yōu)良芯片”(KGD)的產(chǎn)品,具有更高的系統(tǒng)內(nèi)存,可以提供上述所有優(yōu)勢,從而“超越Moore定律”。

 

IoT RAM具有低延遲特性,可從功耗非常低的模式中極快速喚醒,實現(xiàn)從待機狀態(tài)立即喚醒以及快速開機。IoT RAM的運行功耗非常低,通常取決于內(nèi)存密度,范圍為0.15至0.5 μA/Mbit。

 

內(nèi)部刷新

請查看示例MCU圖表(如下),RAM和靜態(tài)存儲器的使用空間不斷增長。如果在這種情況下使用DRAM,則會增加系統(tǒng)的功耗,并且還需要集成刷新控制器。

 

IoT RAM則不需要控制器,因為DRAM單元的整個刷新邏輯是在內(nèi)部處理的,用戶毋須知道。這降低了接口的復(fù)雜性以及由此帶來的驗證成本。仍然使用SDRAM的較舊MCU系統(tǒng)可受益于IoT RAM帶來的優(yōu)勢,實現(xiàn)更低的功耗和簡化的接口(見表)。

 

邊緣計算中的流暢視頻播放

讓我們看看使用幀緩沖的應(yīng)用,可以明顯看出外部RAM如何實現(xiàn)卓越的用戶體驗。對于讀/寫活動,系統(tǒng)不需要經(jīng)常訪問速度較慢的非易失性內(nèi)存,從而提高了整體系統(tǒng)性能。Coremark測試套件的結(jié)果顯示了這一點。用戶受益于更低的延遲、更流暢的視頻播放和更可靠的記錄。

 

在需要高性能、低成本和快速反應(yīng)功能的IoT /嵌入式設(shè)備中,AP Memory的IoT RAM解決方案可以與許多現(xiàn)有的MCU、SoC和FPGA流暢協(xié)作。為此,AP Memory與越來越多的MCU、SoC和FPGA供應(yīng)商保持著緊密的合作關(guān)系。IoT RAM解決方案為IoT和邊緣計算產(chǎn)品中的易失性存儲器提供了簡化的信號協(xié)議(QSPI、OPI和ADMUX)和封裝選項(KGD、WLCSP、SOP、USON和BGA)。儒卓力提供來自AP Memory的多種精選IoT RAM和PSRAM解決方案,具有多種內(nèi)存密度,可以滿足一系列的性能和帶寬要求。


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