<link www.rohm.com/products/sic-power-devices/sic-mosfet - external-link-new-window>SCT3xxx xR系列</link>SiC MOSFET采用4引腳封裝(TO-247-4L)，能夠最大限度地提升開(kāi)關(guān)性能。而且與傳統(tǒng)的3引腳封裝類型(TO-247N)器件相比，4引腳封裝(TO-247-4L)可將開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá)35%，有助于降低在多種應(yīng)用中的功耗。
近年來(lái)AI和IoT應(yīng)用大行其道，帶動(dòng)了對(duì)云服務(wù)需求的不斷增長(zhǎng)，從而增加了全球范圍數(shù)據(jù)中心的市場(chǎng)需求。但是，數(shù)據(jù)中心中使用的服務(wù)器面臨著一個(gè)主要難題，就是如何隨著容量和性能的提高而降低功耗。由于SiC器件的損耗優(yōu)于服務(wù)器電源轉(zhuǎn)換電路中的主流硅器件，因此業(yè)界寄予厚望。此外，由于TO-247-4L封裝相比傳統(tǒng)封裝能夠減少開(kāi)關(guān)損耗，因此有望在服務(wù)器、基站和太陽(yáng)能發(fā)電等高輸出功率應(yīng)用中采用。
2015年羅姆成為首家成功批量生產(chǎn)溝槽型SiC MOSFET器件的供應(yīng)商，并在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)領(lǐng)域繼續(xù)保持領(lǐng)先地位。除了這些最新650V/1200V高效SiC MOSFET，該公司還致力于開(kāi)發(fā)創(chuàng)新的器件，并提供有助于降低多種設(shè)備功耗的解決方案，包括針對(duì)SiC驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的柵極驅(qū)??動(dòng)器IC。
羅姆還提供幫助應(yīng)用評(píng)測(cè)的解決方案，包括SiC MOSFET評(píng)測(cè)板P02SCT3040KR-EVK-001，它配備了柵極驅(qū)動(dòng)器IC (BM6101FV-C)，多個(gè)電源IC和針對(duì)SiC器件驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的分立元件。全新系列SiC MOSFET和評(píng)測(cè)板已經(jīng)推出，可供選購(gòu)。
關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)
4引腳封裝 (TO-247-4L)可降低開(kāi)關(guān)損耗多達(dá)35%
一些器件使用傳統(tǒng)3引腳封裝(TO-247N)，由于源極端子寄生電感兩端的電壓下降，芯片上的有效柵極電壓會(huì)降低，這導(dǎo)致開(kāi)關(guān)速率降低。采用4引腳TO-247-4L封裝可將驅(qū)動(dòng)器和電源引腳分開(kāi)，從而將寄生電感分量的影響降至最低，這可最大化SiC MOSFET器件的開(kāi)關(guān)速率，與傳統(tǒng)封裝相比，總體開(kāi)關(guān)損耗(導(dǎo)通和關(guān)斷)可降低多達(dá)35%。
應(yīng)用
UPS系統(tǒng)、太陽(yáng)能逆變器、電力存儲(chǔ)系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電站，以及服務(wù)器場(chǎng)和基站的電源等等。
評(píng)測(cè)板
羅姆SiC MOSFET評(píng)測(cè)板(P02SCT3040KR-EVK-001)配備了針對(duì)驅(qū)動(dòng)SiC器件而優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器IC (BM6101FV-C)，以及多個(gè)電源IC和其他分立組件，促進(jìn)應(yīng)用評(píng)測(cè)和開(kāi)發(fā)。這款評(píng)測(cè)板兼容TO-247-4L和TO-247N封裝類型，可以在相同條件下評(píng)測(cè)兩種封裝。該評(píng)測(cè)板可用于雙脈沖測(cè)試，以及評(píng)測(cè)升壓電路、二級(jí)逆變器和同步整流降壓電路中的組件。
評(píng)測(cè)板部件編號(hào)：P02SCT3040KR-EVK-001
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