<link www.rohm.com/products/sic-power-devices/sic-mosfet - external-link-new-window>SCT3xxx xR系列</link>SiC MOSFET采用4引腳封裝(TO-247-4L)，能夠最大限度地提升開關(guān)性能。而且與傳統(tǒng)的3引腳封裝類型(TO-247N)器件相比，4引腳封裝(TO-247-4L)可將開關(guān)損耗降低多達(dá)35%，有助于降低在多種應(yīng)用中的功耗。
近年來AI和IoT應(yīng)用大行其道，帶動了對云服務(wù)需求的不斷增長，從而增加了全球范圍數(shù)據(jù)中心的市場需求。但是，數(shù)據(jù)中心中使用的服務(wù)器面臨著一個主要難題，就是如何隨著容量和性能的提高而降低功耗。由于SiC器件的損耗優(yōu)于服務(wù)器電源轉(zhuǎn)換電路中的主流硅器件，因此業(yè)界寄予厚望。此外，由于TO-247-4L封裝相比傳統(tǒng)封裝能夠減少開關(guān)損耗，因此有望在服務(wù)器、基站和太陽能發(fā)電等高輸出功率應(yīng)用中采用。
2015年羅姆成為首家成功批量生產(chǎn)溝槽型SiC MOSFET器件的供應(yīng)商，并在產(chǎn)品開發(fā)領(lǐng)域繼續(xù)保持領(lǐng)先地位。除了這些最新650V/1200V高效SiC MOSFET，該公司還致力于開發(fā)創(chuàng)新的器件，并提供有助于降低多種設(shè)備功耗的解決方案，包括針對SiC驅(qū)動而優(yōu)化的柵極驅(qū)??動器IC。
羅姆還提供幫助應(yīng)用評測的解決方案，包括SiC MOSFET評測板P02SCT3040KR-EVK-001，它配備了柵極驅(qū)動器IC (BM6101FV-C)，多個電源IC和針對SiC器件驅(qū)動而優(yōu)化的分立元件。全新系列SiC MOSFET和評測板已經(jīng)推出，可供選購。
關(guān)鍵優(yōu)勢
4引腳封裝 (TO-247-4L)可降低開關(guān)損耗多達(dá)35%
一些器件使用傳統(tǒng)3引腳封裝(TO-247N)，由于源極端子寄生電感兩端的電壓下降，芯片上的有效柵極電壓會降低，這導(dǎo)致開關(guān)速率降低。采用4引腳TO-247-4L封裝可將驅(qū)動器和電源引腳分開，從而將寄生電感分量的影響降至最低，這可最大化SiC MOSFET器件的開關(guān)速率，與傳統(tǒng)封裝相比，總體開關(guān)損耗(導(dǎo)通和關(guān)斷)可降低多達(dá)35%。
應(yīng)用
UPS系統(tǒng)、太陽能逆變器、電力存儲系統(tǒng)、電動汽車充電站，以及服務(wù)器場和基站的電源等等。
評測板
羅姆SiC MOSFET評測板(P02SCT3040KR-EVK-001)配備了針對驅(qū)動SiC器件而優(yōu)化的柵極驅(qū)動器IC (BM6101FV-C)，以及多個電源IC和其他分立組件，促進(jìn)應(yīng)用評測和開發(fā)。這款評測板兼容TO-247-4L和TO-247N封裝類型，可以在相同條件下評測兩種封裝。該評測板可用于雙脈沖測試，以及評測升壓電路、二級逆變器和同步整流降壓電路中的組件。
評測板部件編號：P02SCT3040KR-EVK-001
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