功能特性

• 業(yè)界領(lǐng)先的SiC MOSFET，采用TO247封裝的1200V溝槽技術(shù)
• 工作溫度高達(dá)TJ，最高= 175°C
• 通過(guò)同類(lèi)最佳的VGS閾值行為輕松控制
• 短路和雪崩穩(wěn)定性
• 符合AEC-Q101 +英飛凌同類(lèi)最佳SiC質(zhì)量擴(kuò)展標(biāo)準(zhǔn)

優(yōu)勢(shì)

• 與IGBT，CoolMOS?和CoolSiC?肖特基二極管產(chǎn)品最匹配
• 在所有負(fù)載條件下都具有很高的效率，可以滿(mǎn)足嚴(yán)格的應(yīng)用效率標(biāo)準(zhǔn)
• 極其堅(jiān)固的設(shè)計(jì)可滿(mǎn)足客戶(hù)的任務(wù)要求
• 高可靠性，基于數(shù)十年的現(xiàn)場(chǎng)經(jīng)驗(yàn)可實(shí)現(xiàn)同類(lèi)最佳的使用壽命

目標(biāo)應(yīng)用

• 板載充電器（PFC級(jí)和DC-DC級(jí)）
• DC-DC轉(zhuǎn)換器
• 輔助逆變器

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

<link www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/silicon-carbide/discretes/aimw120r045m1/ - external-link-new-window>汽車(chē)CoolSiC?MOSFET</link>是高壓半導(dǎo)體，專(zhuān)為車(chē)載充電器和輔助系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換而設(shè)計(jì)。 基于110μm的薄晶圓技術(shù)，它們的電力損耗非常低。